STF26N65DM2 - описание и поиск аналогов

 

STF26N65DM2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF26N65DM2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для STF26N65DM2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF26N65DM2 даташит

 ..1. Size:266K  st
stf26n65dm2.pdfpdf_icon

STF26N65DM2

 8.1. Size:786K  st
stf26nm60n.pdfpdf_icon

STF26N65DM2

STF26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STF26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Applications TO-220FP Switching applications Description Figure 1 Int

 8.2. Size:1134K  st
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdfpdf_icon

STF26N65DM2

STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 2 3 1 2 STB26NM60N 600 V

 8.3. Size:701K  st
stf26nm60n-h.pdfpdf_icon

STF26N65DM2

STF26NM60N-H N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS ID max STF26NM60N-H 600 V

Другие MOSFET... STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 , STF20N90K5 , STF20NM50FD , STF23N80K5 , STF25N60M2-EP , IRF630 , STF28N60DM2 , STF33N60DM6 , STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , STF8N60DM2 .

History: IRF623FI | IXFN110N20 | 2SK4066-E | IPB090N06N3 | CS3N50B4 | GPT09N50D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.