STFI9N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFI9N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
Encapsulados: I2PAKFP
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STFI9N60M2 datasheet
stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf
STF9N60M2, STFI9N60M2 N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features VDS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STF9N60M2 650 V 0.78 5.5 A STFI9N60M2 Extremely low gate charge 3 2 1 2 1 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low
stf9n80k5 stfi9n80k5.pdf
STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha
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