STFI9N60M2 - описание и поиск аналогов

 

STFI9N60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STFI9N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: I2PAKFP

Аналог (замена) для STFI9N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI9N60M2 даташит

 ..1. Size:879K  st
 stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf pdf_icon

STFI9N60M2

STF9N60M2, STFI9N60M2 N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features VDS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STF9N60M2 650 V 0.78 5.5 A STFI9N60M2 Extremely low gate charge 3 2 1 2 1 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low

 8.1. Size:756K  st
 stf9n80k5 stfi9n80k5.pdf pdf_icon

STFI9N60M2

STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha

Другие MOSFET... STF7LN80K5 , STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , SKD502T , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.