STH15810-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH15810-2
Código: 15810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 117 nC
Tiempo de subida (tr): 57 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1510 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK-2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH15810-2
STH15810-2 Datasheet (PDF)
sth15810-2.pdf
STH15810-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH15810-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB 100% avalanche tested Ultra low on-resistance231 Applications2 Switching applicationsH PAK-2DescriptionThis N-channel Power MOSFETs utilize STr
sth15nb50fi stw15nb50.pdf
STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V
sth150n10f7-2.pdf
STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H
sth15na50.pdf
STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V
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