STH15810-2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH15810-2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1510 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Encapsulados: H2PAK-2
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STH15810-2 datasheet
sth15810-2.pdf
STH15810-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH15810-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB 100% avalanche tested Ultra low on-resistance 2 3 1 Applications 2 Switching applications H PAK-2 Description This N-channel Power MOSFETs utilize STr
sth15nb50fi stw15nb50.pdf
STW15NB50 STH15NB50FI N-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW15NB50 500 V
sth150n10f7-2.pdf
STH150N10F7-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 3 1 High avalanche ruggedness 2 H
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