STI28N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI28N60M2
Código: 28N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 170 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 36 nC
Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
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STI28N60M2 Datasheet (PDF)
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stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf
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STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
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