STL10N65M2 Todos los transistores

 

STL10N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL10N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6HV

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STL10N65M2 datasheet

 ..1. Size:771K  st
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STL10N65M2

STL10N65M2 Datasheet N-channel 650 V, 0.85 typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Features VDS RDS(on ) max. ID Order code STL10N65M2 650 V 1.00 4.5 A 1 2 Extremely low gate charge 3 4 Excellent output capacitance (COSS) profile PowerFLAT 5x6 HV 100% avalanche tested Zener-protected D(5, 6, 7, 8) 8 7 6 5 Applications Switch

 7.1. Size:1020K  st
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STL10N65M2

STL10N60M2 N-channel 600 V, 0.580 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features VDS @ Order code TJmax RDS(on) max ID STL10N60M2 650 V 0.660 5.5 A Extremely low gate charge 1 2 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 4 Low gate input resistance PowerFLAT 5x6 HV 100% aval

 8.1. Size:700K  st
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STL10N65M2

STL10N3LLH5 N-channel 30 V, 0.015 , 9 A, PowerFLAT 3.3x3.3 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL10N3LLH5 30 V

 9.1. Size:1131K  st
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STL10N65M2

STL105NS3LLH7 N-channel 30 V, 0.0033 typ., 27 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6 Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL105NS3LLH7 30 V 0.0039 27 A Very low on-resistance 1 2 Very low Qg 3 4 Avalanche high ruggedness PowerFLAT 5x6 Embedded Schottky diode Applications Switching

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History: 2SK3121 | AO3451

 

 

 


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