Справочник MOSFET. STL10N65M2

 

STL10N65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL10N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6HV
 

 Аналог (замена) для STL10N65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL10N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  st
stl10n65m2.pdfpdf_icon

STL10N65M2

STL10N65M2DatasheetN-channel 650 V, 0.85 typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageFeaturesVDS RDS(on ) max. IDOrder codeSTL10N65M2 650 V 1.00 4.5 A12 Extremely low gate charge34 Excellent output capacitance (COSS) profilePowerFLAT 5x6 HV 100% avalanche tested Zener-protectedD(5, 6, 7, 8)8 7 6 5Applications Switch

 7.1. Size:1020K  st
stl10n60m2.pdfpdf_icon

STL10N65M2

STL10N60M2N-channel 600 V, 0.580 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ Order codeTJmax RDS(on) max IDSTL10N60M2 650 V 0.660 5.5 A Extremely low gate charge123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 Low gate input resistancePowerFLAT 5x6 HV 100% aval

 8.1. Size:700K  st
stl10n3llh5.pdfpdf_icon

STL10N65M2

STL10N3LLH5N-channel 30 V, 0.015 , 9 A, PowerFLAT 3.3x3.3STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL10N3LLH5 30 V

 9.1. Size:1131K  st
stl105ns3llh7.pdfpdf_icon

STL10N65M2

STL105NS3LLH7N-channel 30 V, 0.0033 typ., 27 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL105NS3LLH7 30 V 0.0039 27 A Very low on-resistance12 Very low Qg34 Avalanche high ruggednessPowerFLAT5x6 Embedded Schottky diodeApplications Switching

Другие MOSFET... STH410N4F7-2AG , STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , 18N50 , STL130N6F7 , STL140N6F7 , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 .

History: STB24N60DM2 | HUFA76413DK8TF085 | KIA18N50H-220F | WMM80R720S | TSP5N60M | SM4307PSKC-TRG | IRL60S216

 

 
Back to Top

 


 
.