FDD3706 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD3706 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
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FDD3706 datasheet
fdd3706 fdu3706.pdf
April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle
Otros transistores... FDD3672F085, STU03L07, STU03L01, FDD3680, FDD3682F085, STT812A, FDD3690, STT6603, P60NF06, FDD3860, STT626, FDD390N15A, FDD3N40, STT622S, FDD3N50NZ, FDD4141, FDD4141F085
History: UPA2724T1A | DHS250N10D | SSF22N50A | UPA2713GR | PT9435 | AP60N02NF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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