FDD3706 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDD3706  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDD3706

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD3706 даташит

 ..1. Size:113K  fairchild semi
 fdd3706 fdu3706.pdf pdf_icon

FDD3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

Другие IGBT... FDD3672F085, STU03L07, STU03L01, FDD3680, FDD3682F085, STT812A, FDD3690, STT6603, MMIS60R580P, FDD3860, STT626, FDD390N15A, FDD3N40, STT622S, FDD3N50NZ, FDD4141, FDD4141F085