Справочник MOSFET. FDD3706

 

FDD3706 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD3706
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD3706

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD3706 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  fairchild semi
 fdd3706 fdu3706.pdf pdf_icon

FDD3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

Другие MOSFET... FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , STT6603 , AO3401 , FDD3860 , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 .

 

 
Back to Top

 


 
.