STL90N6F7 Todos los transistores

 

STL90N6F7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL90N6F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL90N6F7 datasheet

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STL90N6F7

STL90N6F7 N-channel 60 V, 0.0046 typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STL90N6F7 60 V 0.0054 90 A 1 2 3 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High avalanche rugg

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STL90N6F7

STL90N10F7 N-channel 100 V, 0.007 typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL90N10F7 100 V 0.008 70 A 100 W 1 2 3 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High

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STL90N6F7

STL90N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0038 , 24 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL90N3LLH6 30 V 0.0045 24 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 5x6 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses Ver

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