STP9N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP9N80K5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP9N80K5 datasheet

 ..1. Size:791K  st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdf pdf_icon

STP9N80K5

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 3 3 Industry s lowest R x area DS(on) 2 2 1 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdf pdf_icon

STP9N80K5

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STP9N80K5

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdf pdf_icon

STP9N80K5

Otros transistores... STP33N60DM6, STP36N60M6, STP43N60DM2, STP45N60DM6, STP4LN80K5, STP4N90K5, STP6N90K5, STP8N120K5, IRF830, STQ1HNK60R-AP, STS8DN6LF6AG, STU5N95K5, STU6N60DM2, STW20N90K5, STW20N95DK5, STW25N60M2-EP, STW26N60M2