STP9N80K5 - описание и поиск аналогов

 

STP9N80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP9N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9N80K5 даташит

 ..1. Size:791K  st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdfpdf_icon

STP9N80K5

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 3 3 Industry s lowest R x area DS(on) 2 2 1 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdfpdf_icon

STP9N80K5

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STP9N80K5

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdfpdf_icon

STP9N80K5

Другие MOSFET... STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , IRF830 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , STU6N60DM2 , STW20N90K5 , STW20N95DK5 , STW25N60M2-EP , STW26N60M2 .

History: IRFL9014TRPBF | WMM6N90D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.