STW35N60DM2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW35N60DM2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW35N60DM2 datasheet

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STW35N60DM2

STW35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code VDS ID PTOT max. STW35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extremely

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STW35N60DM2

STW35N65DM2 Datasheet N-channel 650 V, 93 m typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW35N65DM2 650 V 110 m 32 A Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input capacitance 2 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected D(2, TAB

 7.2. Size:1202K  st
 stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf pdf_icon

STW35N60DM2

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5 N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB35N65M5 710 V

Otros transistores... STU5N95K5, STU6N60DM2, STW20N90K5, STW20N95DK5, STW25N60M2-EP, STW26N60M2, STW28N60DM2, STW33N60DM2, 60N06, STW35N65DM2, STW36N60M6, STW37N60DM2AG, STW40N90K5, STW43N60DM2, STW45N60DM2AG, STW45N60DM6, STW48N60DM2