STW65N65DM2AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW65N65DM2AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: TO247
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STW65N65DM2AG datasheet
stw65n65dm2ag.pdf
STW65N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW65N65DM2AG 650 V 0.05 60 A 446 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and inpu
stw65n80k5.pdf
STW65N80K5 N-channel 800 V, 0.07 typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STW65N80K5 800 V 0.08 46 A 446 W Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) 3 Ultra low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected
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History: FTS2057
History: FTS2057
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