STW70N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW70N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de STW70N65M2 MOSFET
STW70N65M2 Datasheet (PDF)
stw70n65m2.pdf

STW70N65M2 N-channel 650 V, 0.039 typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW70N65M2 650 V 0.046 63 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat
stw70n60dm6-4.pdf

STW70N60DM6-4DatasheetN-channel 600 V, 36 m typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO2474 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW70N60DM6-4 600 V 42 m 62 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation432 Low gate charge, input capacitance and resistance1 100% avalanche testedTO247-4 Extremely high dv/dt
stw70n60dm2.pdf

STW70N60DM2 N-channel 600 V, 0.037 typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW70N60DM2 600 V 0.042 66 A 446 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/d
stw70n60m2.pdf

STW70N60M2N-channel 600 V, 0.03 typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW70N60M2 650 V 0.040 68 A Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche testedTO-247 Zener-protected ApplicationsFigure 1. Internal schematic
Otros transistores... STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , IRF630 , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 .
History: STLT19 | IXTY10P15T | PJA3431 | SDP10N60 | IXFP80N25X3 | IXTK102N65X2 | 2SK4145-S19-AY
History: STLT19 | IXTY10P15T | PJA3431 | SDP10N60 | IXFP80N25X3 | IXTK102N65X2 | 2SK4145-S19-AY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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