STW70N65M2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STW70N65M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW70N65M2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW70N65M2 даташит
stw70n65m2.pdf
STW70N65M2 N-channel 650 V, 0.039 typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STW70N65M2 650 V 0.046 63 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1 Applications TO-247 Switching applicat
stw70n60dm6-4.pdf
STW70N60DM6-4 Datasheet N-channel 600 V, 36 m typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247 4 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW70N60DM6-4 600 V 42 m 62 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation 4 3 2 Low gate charge, input capacitance and resistance 1 100% avalanche tested TO247-4 Extremely high dv/dt
stw70n60dm2.pdf
STW70N60DM2 N-channel 600 V, 0.037 typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STW70N60DM2 600 V 0.042 66 A 446 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3 capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/d
stw70n60m2.pdf
STW70N60M2 N-channel 600 V, 0.03 typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW70N60M2 650 V 0.040 68 A Extremely low gate charge 3 2 1 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected Applications Figure 1. Internal schematic
Другие MOSFET... STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , IRF640N , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 .
History: PNMT6N1-LB | RTQ025P02
History: PNMT6N1-LB | RTQ025P02
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet




