STW70N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW70N65M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW70N65M2
STW70N65M2 Datasheet (PDF)
stw70n65m2.pdf
STW70N65M2 N-channel 650 V, 0.039 typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW70N65M2 650 V 0.046 63 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat
stw70n60dm6-4.pdf
STW70N60DM6-4DatasheetN-channel 600 V, 36 m typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO2474 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW70N60DM6-4 600 V 42 m 62 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation432 Low gate charge, input capacitance and resistance1 100% avalanche testedTO247-4 Extremely high dv/dt
stw70n60dm2.pdf
STW70N60DM2 N-channel 600 V, 0.037 typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW70N60DM2 600 V 0.042 66 A 446 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/d
stw70n60m2.pdf
STW70N60M2N-channel 600 V, 0.03 typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW70N60M2 650 V 0.040 68 A Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche testedTO-247 Zener-protected ApplicationsFigure 1. Internal schematic
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918