STWA40N90K5 Todos los transistores

 

STWA40N90K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STWA40N90K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 212 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO247

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STWA40N90K5 datasheet

 ..1. Size:773K  st
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STWA40N90K5

STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche

 9.1. Size:1268K  st
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STWA40N90K5

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5 N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STFW45N65M5 STW45N65M5 710 V 0.078 35 A 1 1 1 STWA45N65M5 3 3 2 2 1 1 Worldwide best RDS(on) * area TO-247 TO-3PF TO-247 long leads Hig

 9.2. Size:1268K  st
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STWA40N90K5

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5 N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STFW45N65M5 STW45N65M5 710 V 0.078 35 A 1 1 1 STWA45N65M5 3 3 2 2 1 1 Worldwide best RDS(on) * area TO-247 TO-3PF TO-247 long leads Hig

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STWA40N90K5

STWA48N60DM2 N-channel 600 V, 0.065 typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STWA48N60DM2 600 V 0.079 40 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt rugged

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History: WML26N65C4 | 2SK1315L | WMP15N60C4 | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR | SWU069R10VS

 

 

 

 

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