STWA40N90K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STWA40N90K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 212 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STWA40N90K5

STWA40N90K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:773K st
stw40n90k5 stwa40n90k5.pdf

STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche

9.1. Size:1268K st
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STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig

9.2. Size:1268K st
stfw45n65m5 stw45n65m5 stwa45n65m5.pdf

9.3. Size:709K st
stwa48n60dm2.pdf

STWA48N60DM2 N-channel 600 V, 0.065 typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTWA48N60DM2 600 V 0.079 40 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt rugged

9.4. Size:716K st
stwa48n60m2.pdf

STWA48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V DS @ TJmax. RDS(on) max. ID STWA48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app

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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STWA45N65M5FEATURESExcellent switching performanceHigher V ratingDSS100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VD

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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