STWA40N90K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STWA40N90K5
Código: 40N90K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 446 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 89 nC
Tiempo de subida (tr): 15.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 212 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STWA40N90K5
STWA40N90K5 Datasheet (PDF)
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STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche
stfw45n65m5 stwa45n65m5.pdf
STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig
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STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig
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STWA48N60DM2 N-channel 600 V, 0.065 typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTWA48N60DM2 600 V 0.079 40 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt rugged
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STWA48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V DS @ TJmax. RDS(on) max. ID STWA48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STWA45N65M5FEATURESExcellent switching performanceHigher V ratingDSS100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VD
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .