STWA40N90K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STWA40N90K5
Маркировка: 40N90K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 89 nC
trⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STWA40N90K5
STWA40N90K5 Datasheet (PDF)
stw40n90k5 stwa40n90k5.pdf
STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche
stfw45n65m5 stwa45n65m5.pdf
STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig
stfw45n65m5 stw45n65m5 stwa45n65m5.pdf
STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig
stwa48n60dm2.pdf
STWA48N60DM2 N-channel 600 V, 0.065 typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTWA48N60DM2 600 V 0.079 40 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt rugged
stwa48n60m2.pdf
STWA48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Datasheet - production data Features Order code V DS @ TJmax. RDS(on) max. ID STWA48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app
stwa45n65m5.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STWA45N65M5FEATURESExcellent switching performanceHigher V ratingDSS100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VD
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
