SI4403DDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4403DDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4403DDY
SI4403DDY Datasheet (PDF)
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Si4403DDYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD 5D 6 1.8 V rated RDS(on)D 7 100% Rg tested8 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124G33APPLICATIONSSSS22SS11 Adapter switchSTop View
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Si4403DYNew ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.017 @ VGS = 4.5 V9D Load Switch20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks DesktopsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDP-Channel
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Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG
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Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG
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New ProductSi4403CDYVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0155 at VGS = - 4.5 V - 13.4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0195 at VGS = - 2.5 V - 12 36.5 nC 100 % Rg Tested0.0250 at VGS = - 1.8 V - 10.5 100 % UIS Tested Compliant to
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
