SI4403DDY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4403DDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI4403DDY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4403DDY даташит
si4403ddy.pdf
Si4403DDY www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES SO-8 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 5 D 6 1.8 V rated RDS(on) D 7 100% Rg tested 8 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 4 G 3 3 APPLICATIONS S S S 2 2 S S 1 1 Adapter switch S Top View
si4403dy.pdf
Si4403DY New Product Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) APPLICATIONS 0.017 @ VGS = 4.5 V 9 D Load Switch 20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations 0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks Desktops S SO-8 SD 1 8 G S D 2 7 SD 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel
si4403bdy.pdf
Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G
si4403bd.pdf
Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G
Другие MOSFET... SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , IRF1010E , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY .
History: NTE4153NT1G | SI2325DS | NDT6N70 | IRF7700
History: NTE4153NT1G | SI2325DS | NDT6N70 | IRF7700
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement





