SI4431BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4431BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4431BDY

SI4431BDY Datasheet (PDF)

..1. Size:157K vishay
si4431bdy.pdf

Si4431BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.030 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.050 at VGS = - 4.5 V - 5.8SO-8 S 1 8 D SS D 2 7 S 3 6 DGG D 4 5 Top View DOrdering Information: Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

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8.1. Size:75K vishay
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Si4431ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.030 @ VGS = 10 V7.230300.052 @ VGS = 4.5 V 5.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431ADY-T1P-Channel MOSFETSi4431ADY-T1E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

8.2. Size:70K vishay
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Si4431DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% UIS Tested0.040 @ VGS = 10 V "5.830300.070 @ VGS = 4.5 V "4.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431DY-T1P-Channel MOSFETSi4431DY-T1E3 (Lead (Pb)-Free)ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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New ProductSi4431CDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSO-8S S1 8 DS

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si4431cdy-t1-e3.pdf

SI4431CDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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