Справочник MOSFET. SI4431BDY

 

SI4431BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4431BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4431BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  vishay
 si4431bdy.pdf pdf_icon

SI4431BDY

Si4431BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.030 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.050 at VGS = - 4.5 V - 5.8SO-8 S 1 8 D SS D 2 7 S 3 6 DGG D 4 5 Top View DOrdering Information: Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

 6.1. Size:224K  vishay
 si4431bd.pdf pdf_icon

SI4431BDY

Si4431BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.030 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.050 at VGS = - 4.5 V - 5.8SO-8 S 1 8 D SS D 2 7 S 3 6 DGG D 4 5 Top View DOrdering Information: Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

 8.1. Size:75K  vishay
 si4431ady.pdf pdf_icon

SI4431BDY

Si4431ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.030 @ VGS = 10 V7.230300.052 @ VGS = 4.5 V 5.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431ADY-T1P-Channel MOSFETSi4431ADY-T1E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 8.2. Size:70K  vishay
 si4431dy.pdf pdf_icon

SI4431BDY

Si4431DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% UIS Tested0.040 @ VGS = 10 V "5.830300.070 @ VGS = 4.5 V "4.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431DY-T1P-Channel MOSFETSi4431DY-T1E3 (Lead (Pb)-Free)ABSOLUTE MAXIMUM RAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4486EY | SI4421DY | R6524KNX | IRC330 | SI4485DY | SI4210DY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.