SI4447DY Todos los transistores

 

SI4447DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4447DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4447DY datasheet

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SI4447DY

Si4447DY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 10 V - 4.5 - 40 9 100 % Rg Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 3.9 100 % UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

 8.1. Size:266K  vishay
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SI4447DY

New Product Si4447ADY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = - 10 V - 7.2 TrenchFET Power MOSFET - 40 11.8 nC 0.062 at VGS = - 4.5 V - 6.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

 8.2. Size:859K  cn vbsemi
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SI4447DY

SI4447ADY www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD 1

 9.1. Size:221K  vishay
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SI4447DY

Si4442DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0045 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.005 at VGS = 4.5 V 30 19 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 D SO-8 S 1 8 D 2 7 S D G 3 6 S D G 4 5 D Top View S

Otros transistores... SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , IRF530 , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU .

History: SPB80N03S2-03 | IRLL014NTR

 

 

 


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