SI4925BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4925BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4925BDY

SI4925BDY Datasheet (PDF)

..1. Size:246K vishay
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Si4925BDYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = - 10 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET- 300.041 at VGS = - 4.5 V - 5.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCs- Game S

8.1. Size:240K vishay
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New ProductSi4925DDYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 8 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.041 at VGS = - 4.5 V - 8APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCs- Game StationsS1 S2SO-

8.2. Size:237K vishay
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Si4925DYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)Pb-free0.032 @ VGS = -10 V -6.3Available-30300.045 @ VGS = -4.5 V -5.3SO-8S1 S2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26 G1 G2G2 4 D25Top ViewD1 D2Ordering Information: Si4925DYSi4925DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFET P-Cha

8.4. Size:89K vishay
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