SI4946CDY Todos los transistores

 

SI4946CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4946CDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0409 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4946CDY Datasheet (PDF)

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Si4946CDYwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 DualD2 TrenchFET power MOSFETD2 5D1 6 100 % Rg testedD17 Material categorization: 8for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124APPLICATIONSG233S2S222 DC/DC converterG1 D1 D2G11 Load switchS1Top View Inve

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Si4946BEYVishay SiliconixDual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET60 9.2 nC0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

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Si4946EYVishay SiliconixDual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested0.055 @ VGS = 10 V 4.5 Pb-freeAvailable60600.075 @ VGS = 4.5 V 3.9SO-8DS1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26GG2 4 D25Top ViewSOrdering Information: Si4946EYSi4946EY-

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Si4946BEYVishay SiliconixDual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET60 9.2 nC0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

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History: SIZ346DT | SI5999EDU

 

 
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