SI4946CDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4946CDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0409 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4946CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4946CDY даташит

 ..1. Size:225K  vishay
 si4946cdy.pdf pdf_icon

SI4946CDY

Si4946CDY www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES SO-8 Dual D2 TrenchFET power MOSFET D2 5 D1 6 100 % Rg tested D1 7 Material categorization 8 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 4 APPLICATIONS G2 3 3 S2 S2 2 2 DC/DC converter G1 D1 D2 G 1 1 Load switch S1 Top View Inve

 8.1. Size:254K  vishay
 si4946be.pdf pdf_icon

SI4946CDY

Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

 8.2. Size:70K  vishay
 si4946ey.pdf pdf_icon

SI4946CDY

Si4946EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.055 @ VGS = 10 V 4.5 Pb-free Available 60 60 0.075 @ VGS = 4.5 V 3.9 SO-8 D S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G G2 4 D2 5 Top View S Ordering Information Si4946EY Si4946EY-

 8.3. Size:256K  vishay
 si4946bey.pdf pdf_icon

SI4946CDY

Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4431BDY, SI4435FDY, SI4447DY, SI4804CDY, SI4848ADY, SI4850BDY, SI4925BDY, SI4936ADY, STP80NF70, SI4966DY, SI5948DU, SI7113ADN, SI7153DN, SI7218DN, SI7615CDN, SI7900AEDN, SI7972DP