SI4966DY Todos los transistores

 

SI4966DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4966DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4966DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  vishay
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SI4966DY

Si4966DYVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4

 9.1. Size:235K  vishay
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SI4966DY

Si4967DYVishay SiliconixDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.023 at VGS = - 4.5 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.030 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.045 at VGS = - 1.8 V - 5.4S1 S2SO-8S1 1 D18G

 9.2. Size:237K  vishay
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SI4966DY

Si4965DYVishay SiliconixDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.027 at VGS = - 2.5 V - 8 - 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.040 at VGS = - 1.8 V - 5.8S1 S2SO-8S1 1 D18G1

 9.3. Size:89K  vishay
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Si4963DYVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D Lead (Pb)-Free Version is RoHSAvailableCompliant0.033 @ VGS = -4.5 V-6.2-20-200.050 @ VGS = -2.5 V -5S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25D1 D2Top ViewP-Channel MOSFET P-Channel MOSFETOrdering Info

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History: CS5NM50 | MTN50N06E3 | SM3116NAF | BSL214N | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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