SI7113ADN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7113ADN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.132 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7113ADN datasheet
si7113adn.pdf
Si7113ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 APPLICATIONS S 2 S S 3 S Active clamp in intermediate DC/DC 4 S 1 power supplies G
si7113dn.pdf
Si7113DN Vishay Siliconix P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.134 at VGS = - 10 V - 13.2e Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS - 100 16.5 nC Package with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT 0.145 at VGS = - 4.5V - 12.7e Profile UIS and Rg Tested
si7114adn.pdf
New Product Si7114ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectification S 3.30
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History: MTB095N10KRL3 | 2N65KG-TMS-T | SI4966DY | NTMD4884NF | LSE60R092GT
History: MTB095N10KRL3 | 2N65KG-TMS-T | SI4966DY | NTMD4884NF | LSE60R092GT
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