SI7218DN Todos los transistores

 

SI7218DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7218DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7218DN datasheet

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SI7218DN

Si7218DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Available 0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET 30 5 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS Synchronous Rectification PowerPAK 1212-8 Notebook System Power POL S1 3.30 mm

 9.1. Size:571K  vishay
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SI7218DN

Si7216DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = 10 V 6e 40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5e Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and UIS t

 9.2. Size:560K  vishay
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SI7218DN

Si7214DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.04 at VGS = 10 V 6.4 30 TrenchFET Power MOSFET 0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency Applications APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio

 9.3. Size:545K  vishay
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SI7218DN

Si7212DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested 30 7 0.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Synchronous Re

Otros transistores... SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , IRF1407 , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ .

History: UM6K34N | SVT068R5NSTR | 2SK312 | MTP20N15EG | SI2318DS-T1-GE3 | STH410N4F7-2AG | H05N60E

 

 

 

 

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