SI7218DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7218DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7218DN
SI7218DN Datasheet (PDF)
si7218dn.pdf
Si7218DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Available0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 5 nC0.033 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Synchronous RectificationPowerPAK 1212-8 Notebook System Power POLS1 3.30 mm
si7216dn.pdf
Si7216DNVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 10 V 6e40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5ePackage with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg and UIS t
si7214dn.pdf
Si7214DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.04 at VGS = 10 V 6.430 TrenchFET Power MOSFET0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency ApplicationsAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio
si7212dn.pdf
Si7212DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested30 70.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re
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