SI7218DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7218DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
Аналог (замена) для SI7218DN
SI7218DN Datasheet (PDF)
si7218dn.pdf

Si7218DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Available0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 5 nC0.033 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Synchronous RectificationPowerPAK 1212-8 Notebook System Power POLS1 3.30 mm
si7216dn.pdf

Si7216DNVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 10 V 6e40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5ePackage with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg and UIS t
si7214dn.pdf

Si7214DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.04 at VGS = 10 V 6.430 TrenchFET Power MOSFET0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency ApplicationsAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio
si7212dn.pdf

Si7212DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested30 70.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re
Другие MOSFET... SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , P0903BDG , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ .
History: SLF10N70C | IRL3705ZSPBF | IRLU3717PBF | SSP80R380S2 | NP75N04VDK | SJMN099R65SW
History: SLF10N70C | IRL3705ZSPBF | IRLU3717PBF | SSP80R380S2 | NP75N04VDK | SJMN099R65SW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent