SI7615CDN Todos los transistores

 

SI7615CDN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7615CDN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7615CDN datasheet

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SI7615CDN

Si7615CDN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 6 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S 3 S APPLICATIONS S 4 S 1 G

 8.1. Size:122K  vishay
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SI7615CDN

New Product Si7615DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested - 35a 62 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a

 8.2. Size:548K  vishay
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SI7615CDN

New Product Si7615ADN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization 0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 59 nC For definitions of compliance please see 0.0098 at VGS = - 2.5 V

 9.1. Size:122K  vishay
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SI7615CDN

New Product Si7619DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 24e - 30 15 nC 100 % Rg Tested 0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv

Otros transistores... SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , 2SK3568 , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ .

History: AP9685GM-HF | AP98T03GP | 2SK3920-01 | IPD06N03LA | R6011KNX

 

 

 

 

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