SI7615CDN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7615CDN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SI7615CDN MOSFET
SI7615CDN Datasheet (PDF)
si7615cdn.pdf
Si7615CDNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD65 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3SAPPLICATIONSS4S1G
si7615dn.pdf
New ProductSi7615DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested- 35a 62 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a
si7615adn.pdf
New ProductSi7615ADNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0098 at VGS = - 2.5 V
si7619dn.pdf
New ProductSi7619DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 24e- 30 15 nC 100 % Rg Tested0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv
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History: AP2910EC4 | SPTA65R350E | SI4936ADY | 2SK3882-01 | IRLR2905ZTR | HFP740 | MTP3055A
History: AP2910EC4 | SPTA65R350E | SI4936ADY | 2SK3882-01 | IRLR2905ZTR | HFP740 | MTP3055A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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