SI7615CDN Todos los transistores

 

SI7615CDN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7615CDN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7615CDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:639K  vishay
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SI7615CDN

Si7615CDNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD65 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3SAPPLICATIONSS4S1G

 8.1. Size:122K  vishay
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SI7615CDN

New ProductSi7615DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested- 35a 62 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a

 8.2. Size:548K  vishay
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SI7615CDN

New ProductSi7615ADNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0098 at VGS = - 2.5 V

 9.1. Size:122K  vishay
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SI7615CDN

New ProductSi7619DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 24e- 30 15 nC 100 % Rg Tested0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv

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History: SSF65R600S2 | SWN6N70K | IRF722FI | IRL3803PBF

 

 
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