SI7615CDN
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7615CDN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 16.3
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 74
nC
trⓘ -
Время нарастания: 27
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009
Ohm
Тип корпуса:
POWERPAK-1212-8
Аналог (замена) для SI7615CDN
SI7615CDN
Datasheet (PDF)
..1. Size:639K vishay
si7615cdn.pdf 
Si7615CDNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD65 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3SAPPLICATIONSS4S1G
8.1. Size:122K vishay
si7615dn.pdf 
New ProductSi7615DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested- 35a 62 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a
8.2. Size:548K vishay
si7615adn.pdf 
New ProductSi7615ADNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0098 at VGS = - 2.5 V
9.1. Size:122K vishay
si7619dn.pdf 
New ProductSi7619DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 24e- 30 15 nC 100 % Rg Tested0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv
9.2. Size:566K vishay
si7613dn.pdf 
New ProductSi7613DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.)Definition0.0087 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET- 20 28.1 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.014 at VGS = - 4.5V - 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile
9.3. Size:576K vishay
si7617dn.pdf 
New ProductSi7617DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A)d, g Qg (Typ.)Definition0.0123 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET- 30 20.5 nC0.0222 at VGS = - 4.5 V - 35 100% Rg Tested 100% UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directi
9.4. Size:565K vishay
si7611dn.pdf 
New ProductSi7611DNVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = - 10 V - 18e Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS- 40 41 nCPackage with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT0.033 at VGS = - 4.5V - 18eProfile 100 % Rg and UIS TestedAPPLI
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
