SIA465EDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA465EDJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
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SIA465EDJ datasheet
sia469dj.pdf
SiA469DJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SC-70-6L Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 6 Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package S 5 4 100% Rg tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S 1 7 2 D APPLICATIONS 3 D S 1 G Load
sia466edj.pdf
SiA466EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.0095 at VGS = 10 V 25 - Small footprint area 20 0.0111 at VGS = 6 V 25 6.3 nC - Low on-resistance 0.0130 at VGS = 4.5 V 25 Typical ESD protection 2500 V (HBM)
sia462dj.pdf
New Product SiA462DJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.018 at VGS = 10 V Material categorization 12 For definitions of compliance please see 0.020 at VGS = 6 V 30 12 5 nC www.vishay.com/doc?99912 0.022 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS
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History: APM7314K
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