SIA923AEDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA923AEDJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
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SIA923AEDJ datasheet
sia923aedj.pdf
SiA923AEDJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.054 at VGS = -4.5 V -4.5 a - Small Footprint Area 0.070 at VGS = -2.5 V -4.5 a - Low On-Resistance -20 9.5 nC 0.104 at VGS = -1.8 V -4.5 a Typical ESD Prot
sia923edj.pdf
SiA923EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.070 at VGS = - 2.5 V - 4.5a Package - 20 9.5 nC 0.104 at VGS = - 1.8 V - 4.5a - Small Fo
sia922edj.pdf
SiA922EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.064 at VGS = 4.5 V 4.5a - Small footprint area - Low on-resistance 0.072 at VGS = 3.0 V 4.5a 30 3.5 nC Typical ESD protection 1500 V (HBM) 0.080 at
sia921ed.pdf
SiA921EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - 20 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5a Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance
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History: FQA28N50 | IXFE48N50Q | WM03N86M2
History: FQA28N50 | IXFE48N50Q | WM03N86M2
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