Справочник MOSFET. SIA923AEDJ

 

SIA923AEDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA923AEDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA923AEDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA923AEDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  vishay
 sia923aedj.pdf pdf_icon

SIA923AEDJ

SiA923AEDJwww.vishay.comVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.054 at VGS = -4.5 V -4.5 a- Small Footprint Area0.070 at VGS = -2.5 V -4.5 a- Low On-Resistance-20 9.5 nC0.104 at VGS = -1.8 V -4.5 a Typical ESD Prot

 8.1. Size:209K  vishay
 sia923edj.pdf pdf_icon

SIA923AEDJ

SiA923EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.070 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- 20 9.5 nC0.104 at VGS = - 1.8 V - 4.5a - Small Fo

 9.1. Size:277K  vishay
 sia922edj.pdf pdf_icon

SIA923AEDJ

SiA922EDJwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.064 at VGS = 4.5 V 4.5a- Small footprint area- Low on-resistance0.072 at VGS = 3.0 V 4.5a30 3.5 nC Typical ESD protection: 1500 V (HBM)0.080 at

 9.2. Size:212K  vishay
 sia921ed.pdf pdf_icon

SIA923AEDJ

SiA921EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- 20 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- Small Footprint Area- Low On-Resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , IRF830 , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF .

History: SM8A01NSF | HCD60R750 | SKI03021 | STP15N95K5 | IRFS130 | FTD04N60A | STP85NF55L

 

 
Back to Top

 


 
.