SIR610DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR610DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0319 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SIR610DP MOSFET
SIR610DP Datasheet (PDF)
sir610dp.pdf

SiR610DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONS D4 S1G Fixed telecomTop V
Otros transistores... SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , EMB04N03H , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP .
History: S85N042RN | SSF7400 | FDMS8670S
History: S85N042RN | SSF7400 | FDMS8670S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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