SIR626DP Todos los transistores

 

SIR626DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR626DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 992 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR626DP datasheet

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SIR626DP

SiR626DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) D 6 5 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of 1 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1

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SIR626DP

SiR624DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss 0.060 at VGS = 10 V 18.6 200 15 nC 100 % Rg and UIS tested 0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization PowerPAK SO-8 Single for definitions of com

Otros transistores... SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , EMB04N03H , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP .

History: AP4880BGM-HF | NTUD3174NZ | APT5010JFLL | IPI65R190C6 | AOD414 | KDD6030L | 2SK1004

 

 
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