Справочник MOSFET. SIR626DP

 

SIR626DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR626DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 992 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR626DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR626DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  vishay
 sir626dp.pdf pdf_icon

SIR626DP

SiR626DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

 9.1. Size:412K  vishay
 sir624dp.pdf pdf_icon

SIR626DP

SiR624DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.)of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss0.060 at VGS = 10 V 18.6200 15 nC 100 % Rg and UIS tested0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization:PowerPAK SO-8 Singlefor definitions of com

Другие MOSFET... SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , 2SK3918 , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP .

History: TK15D60U | SST65R600S3

 

 
Back to Top

 


 
.