SIR680DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR680DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 6.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 32.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.4 V
Carga de la puerta (Qg): 69.5 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR680DP
SIR680DP Datasheet (PDF)
sir680dp.pdf
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SiR680DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1
sir688dp.pdf
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SiR688DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0045 at VGS = 6 V 60 20.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0060 at VGS = 4.5 V 60www.vishay.co
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