SIR680DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR680DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SIR680DP MOSFET
SIR680DP Datasheet (PDF)
sir680dp.pdf
SiR680DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1
sir688dp.pdf
SiR688DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0045 at VGS = 6 V 60 20.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0060 at VGS = 4.5 V 60www.vishay.co
Otros transistores... SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , MMIS60R580P , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP .
Liste
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