SIR680DP Todos los transistores

 

SIR680DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR680DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIR680DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIR680DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  vishay
 sir680dp.pdf pdf_icon

SIR680DP

SiR680DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

 9.1. Size:323K  vishay
 sir688dp.pdf pdf_icon

SIR680DP

SiR688DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0045 at VGS = 6 V 60 20.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0060 at VGS = 4.5 V 60www.vishay.co

Otros transistores... SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , STP65NF06 , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP .

History: SFQ030N100C3 | 2SK3636 | SVF6N60F | UTT24N06L-TN3-R | SPB65R180G | AM20N10-130D | UTT25P10L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.