SIRA64DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIRA64DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: SO-8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIRA64DP datasheet

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SIRA64DP

SiRA64DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio D 6 reduces switching related power loss 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance 1 please see www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1 APP

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SiRA66DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0023 at VGS = 10 V Material categorization 50 30 19.2 nC For definitions of compliance please see 0.0031 at VGS = 4.5 V 50 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS PowerPAK SO-8

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SIRA64DP

SiRA60DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested 0.00094 at VGS = 10 V 100 30 38 nC Material categorization 0.00135 at VGS = 4.5 V 100 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8

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