SIRA64DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA64DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIRA64DP
SIRA64DP Datasheet (PDF)
sira64dp.pdf
SiRA64DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio D 6reduces switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 1please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1APP
sira66dp.pdf
SiRA66DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0023 at VGS = 10 V Material categorization:5030 19.2 nCFor definitions of compliance please see0.0031 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPowerPAK SO-8
sira60dp.pdf
SiRA60DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.00094 at VGS = 10 V 10030 38 nC Material categorization:0.00135 at VGS = 4.5 V 100for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8
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History: JCS18N25VC
History: JCS18N25VC
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