SIRA66DP Todos los transistores

 

SIRA66DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIRA66DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1032 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIRA66DP Datasheet (PDF)

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SIRA66DP

SiRA66DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0023 at VGS = 10 V Material categorization:5030 19.2 nCFor definitions of compliance please see0.0031 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPowerPAK SO-8

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SiRA64DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio D 6reduces switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 1please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1APP

 9.2. Size:407K  vishay
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SIRA66DP

SiRA60DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.00094 at VGS = 10 V 10030 38 nC Material categorization:0.00135 at VGS = 4.5 V 100for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

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History: SVF4N65CAM | 2SJ239 | 2SJ314-01L | SSW65R099SFD | RSE002P03 | LSG50R160HT

 

 
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