SIRA66DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIRA66DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44 nC
Время нарастания (tr): 51 ns
Выходная емкость (Cd): 1032 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0023 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIRA66DP Datasheet (PDF)
sira66dp.pdf
SiRA66DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0023 at VGS = 10 V Material categorization:5030 19.2 nCFor definitions of compliance please see0.0031 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPowerPAK SO-8
sira64dp.pdf
SiRA64DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio D 6reduces switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 1please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1APP
sira60dp.pdf
SiRA60DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.00094 at VGS = 10 V 10030 38 nC Material categorization:0.00135 at VGS = 4.5 V 100for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
