SISA72DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SISA72DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SISA72DN datasheet

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SISA72DN

SiSA72DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A) f, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0035 at VGS = 10 V 60 40 19.5 nC 0.0048 at VGS = 4.5 V 60 Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM Material categorization for definitions of compliance please see P

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