SISB46DN Todos los transistores

 

SISB46DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISB46DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01171 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SISB46DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  vishay
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SISB46DN

SiSB46DNwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) f Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM0.01171 at VGS = 10 V 3440 6.8 nC 100 % Rg and UIS tested0.01580 at VGS = 4.5 V 29.4 Qgd / Qgs ratio

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMN6075S | IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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