SISS27ADN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISS27ADN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 502 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8S
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SISS27ADN datasheet
siss27adn.pdf
SiSS27ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8S D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 Low thermal resistance PowerPAK package D 6 5 with small size and low 0.75 mm profile 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see 1 2 S www.vishay.com/doc?99912
siss27dn.pdf
SiSS27DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0056 at VGS = -10 V -50 e with small size and low 0.75 mm profile -30 0.0070 at VGS = -6 V -50 e 45 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0090 at VGS = -4.5 V -50 e Mat
siss23dn.pdf
SiSS23DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50e Profile - 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e Materia
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History: SISS98DN
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Liste
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