SISS27ADN Todos los transistores

 

SISS27ADN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISS27ADN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 502 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8S
 

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SISS27ADN Datasheet (PDF)

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SISS27ADN

SiSS27ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8SD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 Low thermal resistance PowerPAK packageD65 with small size and low 0.75 mm profile 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see12S www.vishay.com/doc?99912

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SISS27ADN

SiSS27DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0056 at VGS = -10 V -50 ewith small size and low 0.75 mm profile-30 0.0070 at VGS = -6 V -50 e 45 nC 100 % Rg and UIS tested0.0090 at VGS = -4.5 V -50 e Mat

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SISS27ADN

SiSS23DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50eProfile- 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e Materia

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History: STB80NE03L-06T4 | SVF740T | JST4435

 

 
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