SISS27DN Todos los transistores

 

SISS27DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISS27DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8S
 

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SISS27DN datasheet

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SISS27DN

SiSS27DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0056 at VGS = -10 V -50 e with small size and low 0.75 mm profile -30 0.0070 at VGS = -6 V -50 e 45 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0090 at VGS = -4.5 V -50 e Mat

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SISS27DN

SiSS27ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8S D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 Low thermal resistance PowerPAK package D 6 5 with small size and low 0.75 mm profile 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see 1 2 S www.vishay.com/doc?99912

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SISS27DN

SiSS23DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50e Profile - 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e Materia

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