SIUD412ED Todos los transistores

 

SIUD412ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIUD412ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-0806
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIUD412ED Datasheet (PDF)

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SIUD412ED

SiUD412EDwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 0806 SingleD TrenchFET power MOSFET3 Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline Ultra thin 0.4 mm max. height Typical ESD protection 1500 V (HBM) 1.2 V rated RDS(on)1 100 % Rg testedG211 Material categorization: for definitions of complianceSTop View Bot

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SIUD412ED

SiUD402EDwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 0806 Single TrenchFET power MOSFETD Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline3 Ultra thin 0.4 mm max. height 100 % Rg tested Typical ESD protection 2000 V (HBM) Material categorization: for definitions of compliance1G please see www.vishay.com/doc?99912211SAP

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SIUD412ED

SiUD403EDwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 0806 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET3 Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline Ultra thin 0.4 mm max. height Typical ESD protection 1500 V (HBM) -1.5 V rated RDS(ON)1 100% Rg testedG211 Material categorization: for definitions of complianc

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History: DMN6075S | IPB60R190C6 | PM561BA | FCH20N60 | VBZE50P03 | NCE65N260F

 

 
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