SIUD412ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIUD412ED

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-0806

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SIUD412ED datasheet

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SIUD412ED

SiUD412ED www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 0806 Single D TrenchFET power MOSFET 3 Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline Ultra thin 0.4 mm max. height Typical ESD protection 1500 V (HBM) 1.2 V rated RDS(on) 1 100 % Rg tested G 2 1 1 Material categorization for definitions of compliance S Top View Bot

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SIUD412ED

SiUD402ED www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 0806 Single TrenchFET power MOSFET D Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline 3 Ultra thin 0.4 mm max. height 100 % Rg tested Typical ESD protection 2000 V (HBM) Material categorization for definitions of compliance 1 G please see www.vishay.com/doc?99912 2 1 1 S AP

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SIUD412ED

SiUD403ED www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 0806 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET 3 Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline Ultra thin 0.4 mm max. height Typical ESD protection 1500 V (HBM) -1.5 V rated RDS(ON) 1 100% Rg tested G 2 1 1 Material categorization for definitions of complianc

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