FDD5810F085 Todos los transistores

 

FDD5810F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD5810F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FDD5810F085 Datasheet (PDF)

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FDD5810F085

May 2010FDD5810_F085N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m ApplicationsFeatures Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Dis

 7.2. Size:321K  fairchild semi
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FDD5810F085

October 2007FDD5810N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27mApplicationsFeatures Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m (Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Di

 7.3. Size:258K  onsemi
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FDD5810F085

FDD5810-F085N-Channel Logic Level TrenchMOSFET 60V, 36A, 27m Applications Motor / Body Load ControlFeatures ABS Systems RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A Powertrain Management Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Injection System Low Miller Charge DC-DC converters and Off-line UPS Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single

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History: FQP20N06 | IXTH12N45MA | SDU02N60

 

 
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