SIZ346DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIZ346DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0285 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZ346DT

SIZ346DT Datasheet (PDF)

..1. Size:380K vishay
siz346dt.pdf

SiZ346DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPowerPAIR 3 x 3G2S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETsS2 7S2 6 100 % Rg and UIS tested5S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching(Pin 9)D1 characteristics1 Material categorization:2G13D1 for definitions of compliance please see114D1www.vishay.co

9.1. Size:362K vishay
siz340dt.pdf

SiZ340DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes high-side andVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.)low-side MOSFETs for synchronous buck 0.0095 at VGS = 10 V 30 a convertersChannel-1 30 5.6 nC0.0137 at VGS = 4.5 V 22 TrenchFET power Mosfets0.0051 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS tested

9.2. Size:1261K vishay
siz342dt.pdf

SiZ342DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY PowerPAIR optimizes high-side and low-side VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.)MOSFETs for synchronous buck convertersChannel-1 0.0115 at VGS = 10 V 30 a TrenchFET Gen IV power MOSFETsand 30 4.5 nC0.0153 at VGS = 4.5 V 27.5Channel-2 100 % Rg and UIS tested

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Liste

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