SIZ346DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ346DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0285 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR3X3

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SIZ346DT datasheet

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SiZ346DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PowerPAIR 3 x 3 G2 S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETs S2 7 S2 6 100 % Rg and UIS tested 5 S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching (Pin 9) D1 characteristics 1 Material categorization 2 G1 3 D1 for definitions of compliance please see 1 1 4 D1 www.vishay.co

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SiZ340DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes high-side and VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (Typ.) low-side MOSFETs for synchronous buck 0.0095 at VGS = 10 V 30 a converters Channel-1 30 5.6 nC 0.0137 at VGS = 4.5 V 22 TrenchFET power Mosfets 0.0051 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS tested

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SiZ342DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR optimizes high-side and low-side VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (Typ.) MOSFETs for synchronous buck converters Channel-1 0.0115 at VGS = 10 V 30 a TrenchFET Gen IV power MOSFETs and 30 4.5 nC 0.0153 at VGS = 4.5 V 27.5 Channel-2 100 % Rg and UIS tested

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