SQ2361AEES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ2361AEES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 10 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ2361AEES

SQ2361AEES Datasheet (PDF)

..1. Size:255K vishay
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SQ2361AEESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Typical ESD protection: 800 VRDS(on) () at VGS = -10 V 0.170 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.230 100 % Rg and UIS testedID (A) -2.9 Material categorization:Configuration Singlefor

8.1. Size:254K vishay
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SQ2361ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.177 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.246 Material categorization: ID (A) -2.8for definitions of compliance please seeConfiguration Single

8.2. Size:220K vishay
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SQ2361EESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Typical ESD Protection: 800 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.150 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Material categorization:S For definitions of co

9.1. Size:251K vishay
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SQ2362ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.068 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.075 Material categorization: ID (A) 4.3for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

9.2. Size:220K vishay
sq2360ees.pdf

SQ2360EESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.130 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 4.4 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typical ESD Pr

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: